LCR-T4 ESR LCR тестер полупроводников емкости индукции RLC-метр RLC
650 ₴
- В наличии
- Код: 3591
+380 (66) 435-82-85
- +380 (94) 964-35-86Viber
- +380 (66) 435-82-85Signal
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней по договоренности
LCR-T4 ESR LCR тестер полупроводников емкости индукции RLC-метр RLC
650 ₴
В наличииОписание
Информация для заказа
LCR-T4 ESR LCR тестер полупроводников емкости индукции
Особенности
-Жидкокристаллический дисплей 128х64 с зеленой подсветкой.
-Автоматическая идентификация радиоэлектронных компонентов (резистор, конденсатор, катушка индуктивности, диод, двойной диод, биполярный NPN, PNP транзистор, N- канальный и Р- канальный MOS FET, JFET транзистор, маломощный тиристор, симистор.
-Измерение сопротивления, емкости, индуктивности, прямого напряжения перехода в диодах и биполярных транзисторах, емкости и порогового напряжения затвора в полевых транзисторах, обнаружение защитных диодов в транзисторах.
-Поставляется без корпуса (КІТ).
-Питание 9V от батареи типа "Крона" (не входит в комплект поставки).
* Разряжайте конденсаторы до тестирования!
Технические характеристики тестера полупроводников и измерителя RLC, ESR.
1. Тест полупроводников, конденсаторов, резисторов, индуктивностей производится за одну операцию – нажатием кнопки. Автоматическое выключение после теста.
2. Потребляемый ток после отключения не более 20nA .
3. Диапазон измерения резисторов составляет от 0,1 Ом до 50M Ом с точностью 1%.
4. Диапазон измерения емкости составляет от 25рF до 100mF и точностью 1%.
5. Диапазон измерения индутивности составляет от 0,01mН до 20H и точностью 1%.
6. Автоматическое определение NPN, PNP биполярных транзисторов , N -канальных и Р- канальных MOS FET, JFET транзисторов , диодов, двойных диодов, тиристоров небольшой мощности, однонаправленных и двунаправленных тиристоров.
7. Автоматическое определение цоколевки полупроводников.
8. Измерение в биполярных транзисторах коэффициента усиления и порогового напряжения база – эмиттер.
9. Обнаружение защитных диодов в биполярных и MOS FET транзисторах.
10. Идентификация транзисторов Дарлингтона.
11. Измерение порогового напряжения и емкости затвора в MOS FET транзисторах.
12. Измерение ESR конденсатора с разрешением 0,01 Ом.
13. Измерение двойных резисторов (потенциометров) с отображение на дисплее символов резистора.
14. Отображение символов двойных диодов с измерением прямого напряжение каждого перехода.
15. Определение комбинированных светодиодов.
16. Определение напряжения пробоя в стабилитронах с напряжением не более 4.5V.
#3591
- Цена: 650 ₴
